BFL4001-1E
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BFL4001-1E

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

BFL4001-1E-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 4.1A (Tc) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG

Inventario:

12916313
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

BFL4001-1E Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
850 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
BFL40

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-BFL4001-1E

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

NTMFS5C406NT1G

T6 40V SG NCH SO8FL HEFET

littelfuse

IXFH52N50P2

MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD

vishay-siliconix

SIE844DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

vishay-siliconix

SQS482ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W