Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH52N50P2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH52N50P2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12916315
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IXFH52N50P2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 4mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH52
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STW26NM50
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
364
NUMERO DI PEZZO
STW26NM50-DG
PREZZO UNITARIO
6.36
TIPO DI SOSTITUZIONE
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