Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SJ656
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SJ656-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 18A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220ML
Inventario:
12836930
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2SJ656 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75.5mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220ML
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
2SJ656
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
869-1053
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTP18P10T
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
2485
NUMERO DI PEZZO
IXTP18P10T-DG
PREZZO UNITARIO
1.06
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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