IXTP18P10T

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTP18P10T

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTP18P10T-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB

Descrizione Dettagliata:

P-Channel 100 V 18A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

2485 Pz Nuovo Originale Disponibile

12819581

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IXTP18P10T Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

TrenchP™

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

100 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 9A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4.5V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

2100 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Numero di prodotto di base

IXTP18

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IXT(Y,A,P)18P10T

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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