Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N7002LT1H
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2N7002LT1H-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
12832650
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2N7002LT1H Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
115mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
225mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
2N7002
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-2N7002LT1HTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2N7002H-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
5089
NUMERO DI PEZZO
2N7002H-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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