2N7002H-7

Numero di Prodotto del Fabbricante:

2N7002H-7

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

2N7002H-7-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 60 V 170mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

5089 Pz Nuovo Originale Disponibile

12882117

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2N7002H-7 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Diodes Incorporated

Imballaggio

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

60 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

170mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

vgs(th) (massimo) @ id

3V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

0.35 nC @ 4.5 V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

26 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

370mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di prodotto di base

2N7002

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

3,000

Altri nomi

2N7002H-7DICT

2N7002H-7DITR

2N7002H-7DIDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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