CSD18503KCS
Numero di Prodotto del Fabbricante:

CSD18503KCS

Product Overview

Produttore:

National Semiconductor

Numero di Parte:

CSD18503KCS-DG

Descrizione:

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventario:

740 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946668
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

CSD18503KCS Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
NexFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3150 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
188W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
CSD18503KCS Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
362
Altri nomi
2156-CSD18503KCS
TEXNSCCSD18503KCS

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Prodotti correlati
fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1