Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDA16N50-F109
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FDA16N50-F109-DG
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
270 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946682
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FDA16N50-F109 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
UniFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1945 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
205W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PN
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
184
Altri nomi
2156-FDA16N50-F109
ONSFSCFDA16N50-F109
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
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