Numero di Prodotto del Fabbricante:

APT25SM120B

Product Overview

Produttore:

Microsemi Corporation

Numero di Parte:

APT25SM120B-DG

Descrizione:

SICFET N-CH 1200V 25A TO247

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247

Inventario:

RFQ Online

13261549

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APT25SM120B Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Microsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 10A, 20V

vgs(th) (massimo) @ id

2.5V @ 1mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

72 nC @ 20 V

Vgs (massimo)

+25V, -10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

175W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1

Altri nomi

APT25SM120B-ND

150-APT25SM120B

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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