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Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
APT11F80B
Product Overview
Produttore:
Microchip Technology
Numero di Parte:
APT11F80B-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 337W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventario:
RFQ Online
13261602
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APT11F80B Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Microchip Technology
Imballaggio
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2471 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
337W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247 [B]
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
APT11F80
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
APT11F80(B,S)
High-Voltage Power Discretes and Modules
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFH10N80P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
72
NUMERO DI PEZZO
IXFH10N80P-DG
PREZZO UNITARIO
2.62
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STW9N80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
470
NUMERO DI PEZZO
STW9N80K5-DG
PREZZO UNITARIO
1.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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