IXTH1N170DHV
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTH1N170DHV

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTH1N170DHV-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1700 V 1A (Tj) 290W (Tc) Through Hole TO-247HV

Inventario:

16 Pz Nuovo Originale Disponibile
12819237
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IXTH1N170DHV Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Depletion
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3090 pF @ 25 V
Funzione FET
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247HV
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXTH1

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXT(A,H)1N170DHV
Scheda Dati HTML
IXTH1N170DHV-DG
Schede dati
IXTH1N170DHV

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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