Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH20N100P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH20N100P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 20A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12819240
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IXFH20N100P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
570mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
6.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
660W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH20
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
APT17F100B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
1
NUMERO DI PEZZO
APT17F100B-DG
PREZZO UNITARIO
9.09
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IXFH30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD
IXFX26N90
MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
IXTU02N50D
MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
