IXTA3N100P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTA3N100P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTA3N100P-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventario:

100 Pz Nuovo Originale Disponibile
12905599
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IXTA3N100P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AA
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXTA3

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
IXTA3N100P-DG
Schede dati
IXTA3N100P
Schede tecniche
IXT(A,H,P)3N100P Building, Home Automation Appl Guide

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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