IXFX90N60X
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFX90N60X

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFX90N60X-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 90A (Tc) 1100W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventario:

12914600
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IXFX90N60X Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS247™-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3 Variant
Numero di prodotto di base
IXFX90

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IXFX100N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFX100N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
11.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
TK62N60X,S1F
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
102
NUMERO DI PEZZO
TK62N60X,S1F-DG
PREZZO UNITARIO
5.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SCT3030ALGC11
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
10017
NUMERO DI PEZZO
SCT3030ALGC11-DG
PREZZO UNITARIO
21.41
TIPO DI SOSTITUZIONE
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