IXFN70N120SK

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFN70N120SK

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFN70N120SK-DG

Descrizione:

SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 1200 V 68A (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

RFQ Online

12820846

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IXFN70N120SK Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

Tube

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensione da drain a source (Vdss)

1200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

68A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 15mA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

161 nC @ 20 V

Vgs (massimo)

+20V, -5V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

2790 pF @ 1000 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Numero di prodotto di base

IXFN70

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

IXFN70N120SK-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

10

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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