IXTN120N25

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXTN120N25

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXTN120N25-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventario:

RFQ Online

12820848

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IXTN120N25 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Littelfuse

Imballaggio

-

Serie

MegaMOS™

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

250 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 500mA, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

360 nC @ 10 V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

7700 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

730W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Numero di prodotto di base

IXTN120

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

10

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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