SI4420DYPBF
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SI4420DYPBF

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

SI4420DYPBF-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventario:

12807175
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SI4420DYPBF Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2240 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SO
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
95
Altri nomi
SP001574118
INFINFSI4420DYPBF
2156-SI4420DYPBF-IT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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