Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPZ65R065C7XKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPZ65R065C7XKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Inventario:
235 Pz Nuovo Originale Disponibile
12807182
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IPZ65R065C7XKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 17.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 850µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3020 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
171W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-4
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
IPZ65R065
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2156-IPZ65R065C7XKSA1
SP001080120
INFINFIPZ65R065C7XKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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