Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRLL014NTRPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRLL014NTRPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventario:
33778 Pz Nuovo Originale Disponibile
12807544
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IRLL014NTRPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
230 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
IRLL014
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Risorse di progettazione
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
*IRLL014NTRPBF
IRLL014NPBFTR
IRLL014NPBFCT
SP001578654
IRLL014NPBFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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