Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRLL024ZPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRLL024ZPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 5A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventario:
RFQ Online
12807547
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IRLL024ZPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
380 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IRLL024Z
Risorse di progettazione
IRLL024Z Saber Model
Scheda Dati HTML
IRLL024ZPBF-DG
Schede dati
IRLL024ZPBF
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
80
Altri nomi
SP001572992
AUXAMLL024ZTR
AUXAMLL024ZTR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
ZXMN6A09GTA
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
440
NUMERO DI PEZZO
ZXMN6A09GTA-DG
PREZZO UNITARIO
0.45
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STN3NF06L
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
11330
NUMERO DI PEZZO
STN3NF06L-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRFR3412TRPBF
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
SPP07N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
IPP80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3
IRF6611TRPBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET