Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFL4105TRPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRFL4105TRPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventario:
6035 Pz Nuovo Originale Disponibile
12806152
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IRFL4105TRPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
660 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
IRFL4105
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Risorse di progettazione
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IRFL4105TRPBF-DG
IRFL4105TRPBFTR
SP001551996
IRFL4105TRPBFCT
INFIRFIRFL4105TRPBF
2156-IRFL4105TRPBFINF
IRFL4105TRPBFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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