Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFH6200TRPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRFH6200TRPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
3492 Pz Nuovo Originale Disponibile
12806154
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IRFH6200TRPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.1V @ 150µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
10890 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
IRFH6200
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
IRFH6200TRPBF-DG
IRFH6200TRPBFTR
SP001575628
IRFH6200TRPBFCT
IRFH6200TRPBFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SIR404DP-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
28137
NUMERO DI PEZZO
SIR404DP-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.74
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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