Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPT015N10N5ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPT015N10N5ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventario:
7454 Pz Nuovo Originale Disponibile
12802833
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IPT015N10N5ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16000 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HSOF-8-1
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Numero di prodotto di base
IPT015
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
IPT015N10N5ATMA1CT
IPT015N10N5ATMA1DKR
IPT015N10N5ATMA1TR
SP001227040
Q10142123
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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