IPT015N10N5ATMA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IPT015N10N5ATMA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IPT015N10N5ATMA1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

Inventario:

7454 Pz Nuovo Originale Disponibile
12802833
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IPT015N10N5ATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
300A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16000 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HSOF-8-1
Pacchetto / Custodia
8-PowerSFN
Numero di prodotto di base
IPT015

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
IPT015N10N5ATMA1CT
IPT015N10N5ATMA1DKR
IPT015N10N5ATMA1TR
SP001227040
Q10142123

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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