Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF6785MTR1PBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF6785MTR1PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
12802837
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IRF6785MTR1PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / Custodia
DirectFET™ Isometric MZ
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IRF6785MTR1PBFTR
IRF6785MTR1PBFDKR
SP001574770
IRF6785MTR1PBFCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRF6785MTRPBF
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
9600
NUMERO DI PEZZO
IRF6785MTRPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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