Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPI024N06N3GXKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPI024N06N3GXKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventario:
12801611
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IPI024N06N3GXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 196µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
23000 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO262-3-1
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
IPI024
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
IPI024N06N3GXKSA1-DG
SP000680644
448-IPI024N06N3GXKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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