Numero di Prodotto del Fabbricante:
64-2096PBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
64-2096PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventario:
12801625
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
64-2096PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
75 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 110A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7580 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / Custodia
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Numero di prodotto di base
IRF2907
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
64-2096PBFCT
IRF2907ZSTRL7PPCT-DG
64-2096PBFDKR
64-2096PBFTR
IRF2907ZSTRL7PPTR
SP001569370
IRF2907ZSTRL7PPCT
IRF2907ZSTRL7PPDKR
IRF2907ZSTRL7PP
IRF2907ZSTRL7PPTR-DG
IRF2907ZSTRL7PPDKR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPB12CN10NGATMA2
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
IPC70N04S5L4R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
AUIRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
