Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD80R1K2P7ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD80R1K2P7ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
14924 Pz Nuovo Originale Disponibile
13064038
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IPD80R1K2P7ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 80µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
300 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD80R1
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD80R1K2P7ATMA1CT
IPD80R1K2P7ATMA1TR
2156-IPD80R1K2P7ATMA1TR
SP001644252
IPD80R1K2P7ATMA1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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