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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSZ035N03MSGATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSZ035N03MSGATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventario:
11583 Pz Nuovo Originale Disponibile
13064042
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BSZ035N03MSGATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5700 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TSDSON-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
BSZ035
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
BSZ035N03MS G
Scheda Dati HTML
BSZ035N03MSGATMA1-DG
Schede dati
BSZ035N03MSGATMA1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
2156-BSZ035N03MSGATMA1
BSZ035N03MSGATMA1DKR
BSZ035N03MSGXT
BSZ035N03MSGINDKR-ND
BSZ035N03MSGINCT
BSZ035N03MSG
BSZ035N03MSGINTR-ND
IFEINFBSZ035N03MSGATMA1
BSZ035N03MSGATMA1TR
SP000311511
BSZ035N03MSGATMA1CT
BSZ035N03MSGINDKR
BSZ035N03MS G
BSZ035N03MSGINCT-ND
BSZ035N03MSGINTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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