Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD068N10N3GATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD068N10N3GATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
10507 Pz Nuovo Originale Disponibile
13064013
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IPD068N10N3GATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 90µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4910 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD068
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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