IPD068N10N3GATMA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IPD068N10N3GATMA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IPD068N10N3GATMA1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventario:

10507 Pz Nuovo Originale Disponibile
13064013
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IPD068N10N3GATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 90µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4910 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD068

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD068N10N3GATMA1TR
SP001127816
IPD068N10N3GATMA1DKR
IPD068N10N3GATMA1CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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