Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB65R045C7ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB65R045C7ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
RFQ Online
13064014
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPB65R045C7ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
CoolMOS™ C7
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1.25mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4340 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB65R
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IPB65R045C7
Scheda Dati HTML
IPB65R045C7ATMA1-DG
Schede dati
IPB65R045C7ATMA1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB65R045C7ATMA1CT
2156-IPB65R045C7ATMA1TR
SP000929420
IPB65R045C7ATMA1TR
IPB65R045C7ATMA1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB65R045C7ATMA2
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1636
NUMERO DI PEZZO
IPB65R045C7ATMA2-DG
PREZZO UNITARIO
6.96
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
IPB60R060P7ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
891
NUMERO DI PEZZO
IPB60R060P7ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.85
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
IPP60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3