Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB65R045C7ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB65R045C7ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
13064014
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IPB65R045C7ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
CoolMOS™ C7
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1.25mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4340 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB65R
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB65R045C7ATMA1CT
2156-IPB65R045C7ATMA1TR
SP000929420
IPB65R045C7ATMA1TR
IPB65R045C7ATMA1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB65R045C7ATMA2
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1636
NUMERO DI PEZZO
IPB65R045C7ATMA2-DG
PREZZO UNITARIO
6.96
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
IPB60R060P7ATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
891
NUMERO DI PEZZO
IPB60R060P7ATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
2.85
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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