BSP171PE6327
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BSP171PE6327

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

BSP171PE6327-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Inventario:

12801300
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

BSP171PE6327 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
SIPMOS®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 460µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
460 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.8W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-SOT223-4
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
SP000012134
BSP171PE6327INTR
BSP171PE6327INCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
BSP171PH6327XTSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
3760
NUMERO DI PEZZO
BSP171PH6327XTSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
NDT2955
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
15870
NUMERO DI PEZZO
NDT2955-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
ZXMP6A13GTA
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
ZXMP6A13GTA-DG
PREZZO UNITARIO
0.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
infineon-technologies

IPL60R180P6AUMA1

MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON

infineon-technologies

IPB50R199CPATMA1

MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3

infineon-technologies

BSS119L6433HTMA1

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3

infineon-technologies

IPB09N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3