Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB50R199CPATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB50R199CPATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 550V 17A TO263-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 550 V 17A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12801306
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IPB50R199CPATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
550 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 9.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 660µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
139W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB50R199
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB50R199CP
IFEINFIPB50R199CPATMA1
IPB50R199CP-DG
IPB50R199CPATMA1TR
SP000236092
2156-IPB50R199CPATMA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB20N65M5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
845
NUMERO DI PEZZO
STB20N65M5-DG
PREZZO UNITARIO
1.46
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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