Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSO110N03MSGXUMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventario:
7364 Pz Nuovo Originale Disponibile
12801287
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BSO110N03MSGXUMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.56W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-DSO-8
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero di prodotto di base
BSO110
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
BSO110N03MS GINCT-DG
BSO110N03MS G-DG
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
BSO110N03MS GINTR-DG
BSO110N03MS GINDKR-DG
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINDKR
BSO110N03MSG
BSO110N03MS G
BSO110N03MSGXUMA1DKR
BSO110N03MSGXUMA1CT
BSO110N03MS GINCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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