G33N03S
Numero di Prodotto del Fabbricante:

G33N03S

Product Overview

Produttore:

Goford Semiconductor

Numero di Parte:

G33N03S-DG

Descrizione:

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

3930 Pz Nuovo Originale Disponibile
13000943
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G33N03S Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1.1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1550 pF @ 15 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
3141-G33N03STR
4822-G33N03STR
3141-G33N03SCT
3141-G33N03SDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
G33N03S
FABBRICANTE
Goford Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
3930
NUMERO DI PEZZO
G33N03S-DG
PREZZO UNITARIO
0.11
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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