Numero di Prodotto del Fabbricante:
G130N06M
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
G130N06M-DG
Descrizione:
N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
780 Pz Nuovo Originale Disponibile
13309548
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G130N06M Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2867 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
3141-G130N06MTR
3141-G130N06MCT
3141-G130N06MDKR
4822-G130N06MTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
G130N06M
FABBRICANTE
Goford Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
780
NUMERO DI PEZZO
G130N06M-DG
PREZZO UNITARIO
0.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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