Numero di Prodotto del Fabbricante:
630AT
Product Overview
Produttore:
Goford Semiconductor
Numero di Parte:
630AT-DG
Descrizione:
N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
87 Pz Nuovo Originale Disponibile
13001168
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630AT Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Goford Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
509 pF @ 25 V
Funzione FET
Standard
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
3141-630AT
4822-630AT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
630AT
FABBRICANTE
Goford Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
87
NUMERO DI PEZZO
630AT-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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