Numero di Prodotto del Fabbricante:
RF1S50N06SM9A
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
RF1S50N06SM9A-DG
Descrizione:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventario:
9898 Pz Nuovo Originale Disponibile
12937612
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RF1S50N06SM9A Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
131W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AB
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
317
Altri nomi
2156-RF1S50N06SM9A
FAIFSCRF1S50N06SM9A
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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