Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSM180C12P3C202
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
BSM180C12P3C202-DG
Descrizione:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
Inventario:
11 Pz Nuovo Originale Disponibile
12937633
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BSM180C12P3C202 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (massimo) @ id
5.6V @ 50mA
Vgs (massimo)
+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9000 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
880W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Module
Pacchetto / Custodia
Module
Numero di prodotto di base
BSM180
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
12
Altri nomi
846-BSM180C12P3C202
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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