Numero di Prodotto del Fabbricante:
FQPF11N50CF
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FQPF11N50CF-DG
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventario:
985 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947284
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FQPF11N50CF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
FRFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
48W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220F-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
193
Altri nomi
FAIFSCFQPF11N50CF
2156-FQPF11N50CF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
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