Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD8878
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FDD8878-DG
Descrizione:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
30452 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947285
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FDD8878 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
880 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (DPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
611
Altri nomi
FAIFSCFDD8878
2156-FDD8878
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
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