Numero di Prodotto del Fabbricante:
FDD5N50TM
Product Overview
Produttore:
Fairchild Semiconductor
Numero di Parte:
FDD5N50TM-DG
Descrizione:
4A, 500V, 1.4OHM, N-CHANNEL POWE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventario:
2984 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947183
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FDD5N50TM Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
PowerTrench®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
640 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252 (DPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
919
Altri nomi
2156-FDD5N50TM
FAIFSCFDD5N50TM
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
NTR3A085PZT1G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6613TRPBF
IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
IPP80R1K2P7
IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN
