NTR3A085PZT1G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

NTR3A085PZT1G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

NTR3A085PZT1G-DG

Descrizione:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 1.9A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventario:

2181242 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947185
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

NTR3A085PZT1G Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 1.6A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
586 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
420mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,664
Altri nomi
2156-NTR3A085PZT1G-OS
2832-NTR3A085PZT1G
ONSONSNTR3A085PZT1G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
international-rectifier

IRF6613TRPBF

IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW

infineon-technologies

IPP80R1K2P7

IPP80R1K2 - 800V COOLMOS N-CHANN

nxp-semiconductors

NX7002BKW115

NOW NEXPERIA NX7002BKW SMALL SIG

fairchild-semiconductor

FDPF10N50UT

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F