EPC7014UBC
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EPC7014UBC

Product Overview

Produttore:

EPC Space, LLC

Numero di Parte:

EPC7014UBC-DG

Descrizione:

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 1A (Tc) Surface Mount 4-SMD

Inventario:

149 Pz Nuovo Originale Disponibile
12974365
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

EPC7014UBC Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
EPC Space
Imballaggio
Bulk
Serie
e-GaN®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 140µA
Vgs (massimo)
+7V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
22 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
4-SMD
Pacchetto / Custodia
4-SMD, No Lead
Numero di prodotto di base
EPC7014

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
169
Altri nomi
4107-EPC7014UBC

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
HTSUS
0000.00.0000
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
panjit

PJD3NA50_L2_00001

500V N-CHANNEL MOSFET

vishay-siliconix

SISS588DN-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM10N954L,EFF

COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13

panjit

PJW5N06A-AU_R2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M