Numero di Prodotto del Fabbricante:
SISS588DN-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SISS588DN-T1-GE3-DG
Descrizione:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventario:
12974369
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SISS588DN-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen V
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1380 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 1212-8S
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 1212-8S
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
742-SISS588DN-T1-GE3TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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