Numero di Prodotto del Fabbricante:
NMSD200B01-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
NMSD200B01-7-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-363
Inventario:
12899346
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NMSD200B01-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
200mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-363
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
1034-NMSD200B01DITR
1034-NMSD200B01DIDKR
NMSD200B01DICT
NMSD200B01DKR-DG
NMSD200B01TR
NMSD200B01DIDKR
NMSD200B01DITR
NMSD200B01DKR
1034-NMSD200B01DICT
NMSD200B01CT
NMSD200B01CT-DG
NMSD200B017
NMSD200B01TR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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