DMN10H170SFGQ-13
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DMN10H170SFGQ-13

Product Overview

Produttore:

Diodes Incorporated

Numero di Parte:

DMN10H170SFGQ-13-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Inventario:

12899386
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

DMN10H170SFGQ-13 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
940mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI3333-8
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
DMN10

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
DMN10H170SFGQ-13DI

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
DMN10H170SFG-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
1070
NUMERO DI PEZZO
DMN10H170SFG-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
DMN10H170SFGQ-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMN10H170SFGQ-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
NUMERO DI PARTE
DMN10H170SFG-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
5900
NUMERO DI PEZZO
DMN10H170SFG-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.16
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1NB60SCT A3

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CP ROG

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

taiwan-semiconductor

TSM090N03ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252