Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT64M8LCG-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT64M8LCG-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 16.1A (Ta), 77.8A (Tc) 990mW (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Inventario:
12978931
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DMT64M8LCG-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
47.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2664 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
990mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
V-DFN3333-8 (Type B)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
31-DMT64M8LCG-7DKR
31-DMT64M8LCG-7CT
31-DMT64M8LCG-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMT64M8LCG-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DMT64M8LCG-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.34
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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