Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT32M4LPSW-13
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT32M4LPSW-13-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Inventario:
12978932
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DMT32M4LPSW-13 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3944 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
DMT32
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
31-DMT32M4LPSW-13TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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