Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMN10H220LFDF-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMN10H220LFDF-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 2.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
2770 Pz Nuovo Originale Disponibile
12979335
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
DMN10H220LFDF-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
384 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
DMN10
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMN10H220LFDF-7TR
31-DMN10H220LFDF-7CT
31-DMN10H220LFDF-7DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
NVTFWS070N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMTH10H009LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
