Numero di Prodotto del Fabbricante:
DMT35M4LFDF-7
Product Overview
Produttore:
Diodes Incorporated
Numero di Parte:
DMT35M4LFDF-7-DG
Descrizione:
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 13A (Tc) 860mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventario:
4455 Pz Nuovo Originale Disponibile
12979340
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DMT35M4LFDF-7 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Diodes Incorporated
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1009 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
860mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
U-DFN2020-6 (Type F)
Pacchetto / Custodia
6-UDFN Exposed Pad
Numero di prodotto di base
DMT35M4LF
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
31-DMT35M4LFDF-7DKR
31-DMT35M4LFDF-7CT
31-DMT35M4LFDF-7TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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